Қытайлық көтерме жоғары өнімді айнымалы ток сүзгі конденсаторлары - Axial GTO снуббер конденсаторлары – CRE

Қысқаша сипаттама:

Бізге электрондық пошта жіберіңіз PDF форматында жүктеп алу

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Ұқсас бейне

Кері байланыс (2)

Біз мықты техникалық күшке сүйенеміз және сұранысты қанағаттандыру үшін үнемі күрделі технологияларды жасаймызЖоғары кернеулі қуатты электрондық конденсатор , Төмен қуатты жоғалту индукциялық қыздыру конденсаторы , Қуат сапасы мен сенімділігін жақсартуға арналған айнымалы ток конденсаторыБір сөзбен айтқанда, бізді таңдаған кезде сіз мінсіз өмірді таңдайсыз. Біздің зауытқа келіп, тапсырысыңызды қабыл алуға қош келдіңіз! Қосымша сұрақтар бойынша бізбен хабарласудан тартынбаңыз.

Қытайлық көтерме жоғары өнімді айнымалы ток сүзгілеу конденсаторлары - Axial GTO снуббер конденсаторлары – CRE Толығырақ:

Техникалық деректер

Жұмыс температурасының диапазоны	Максималды жұмыс температурасы., Жоғарғы, макс: + 85℃ Жоғарғы санат температурасы: +85℃ Төменгі санат температурасы: -40℃
сыйымдылық диапазоны	0,1 мкФ～5,6 мкФ
Номиналды кернеу	Тұрақты ток 630 В～2000 В тұрақты ток
Капитол	±5%(Дж) ; ±10%(К)
Кернеуге төтеп беріңіз	1,5 унция тұрақты ток/10 с
Диссипация коэффициенті	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10КГц tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Оқшаулау кедергісі	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S кезінде) C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V, тұрақты ток 60S кезінде)
Соққы тогына төтеп беріңіз
Өмір сүру ұзақтығы	100000сағ(Un; Θhospot≤85°C)
Анықтамалық стандарт	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Қолданба

1. IGBT Snubber.

2. Электрлік электронды жабдықтарда шың кернеуі, шың ток сіңіру қорғанысы кезінде кеңінен қолданылады.

Контур сызбасы

SMJ-TE осьтік конденсаторы
Вольтаж		Un630V.DC;Urms400V;US 945V

Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,22	32	9.5	17.5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33,5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224 ж.	14.2

Вольтаж			Un 1000V.DC;Urms 500V;US 1500V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,15	32	10	17.5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320 ж.	13.8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3.5	34	480	1440 ж.	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 ж.	16.5
3.5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575 ж.	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 ж.	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

Вольтаж			Un 1200V.DC;Urms 550V;US 1800V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 ж.	13.5
1.5	57	22.5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 ж.	14.5
2.2	57	27.5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540 ж.	14.5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485 ж.	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 ж.	18.2

Вольтаж			Un 1700V.DC;Urms 600Vac;US 2550V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	9.5	17.5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4.5	34	700	1540 ж.	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 ж.	14.5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 ж.	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 ж.	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 ж.	18.2

Вольтаж			Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 ж.	145	8
0,22	32	17.5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 ж.	14.5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540 ж.	17.8

Вольтаж			Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 ж.	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 ж.	122.4	10.5
0,1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0,22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

Өнімнің егжей-тегжейлі суреттері:

Байланысты өнім нұсқаулығы:

Жақсы басқарылатын құрылғылар, сарапшылар тобы және сатудан кейінгі жақсы компаниялар; Біз сондай-ақ біртұтас үлкен отбасы болдық, барлығымыз қытайлық көтерме жоғары өнімді айнымалы ток сүзгілеу конденсаторлары - осьтік GTO снуббер конденсаторлары – CRE үшін «біріктіруге, табандылыққа, төзімділікке» тұрарлық ұйыммен бірге жұмыс істейміз. Өнім бүкіл әлемге, мысалы: Эстония, Австралия, Молдоваға жеткізіледі. Біздің барлық өнімдеріміз халықаралық сапа стандарттарына сәйкес келеді және әлемнің әртүрлі нарықтарында жоғары бағаланады. Егер сіз біздің кез келген өнімімізге қызығушылық танытсаңыз немесе тапсырыс бойынша тапсырыс бергіңіз келсе, бізбен хабарласыңыз. Біз жақын арада жаңа клиенттермен сәтті іскерлік қарым-қатынас орнатуды асыға күтеміз.

Айнымалы ток сүзгісінің қуатты электронды конденсаторы

Жасуша пролифераторына арналған конденсатор

Салқындату қуатының конденсаторлары

Тұрақты ток сүзгісінің конденсаторы

Жиілік түрлендіргіштеріне арналған Dc-Link конденсаторы

EV конденсаторы

Энергия сақтау түрлендіргіші үшін пленка конденсаторын пайдалану

Дефибриллятор үшін қолданылатын пленка конденсаторы

Қуатты электрондық пленка конденсаторы

Сымсыз зарядтау қолданбасына арналған резонанстық конденсатор

Біз жаңадан құрылған шағын компаниямыз, бірақ компания басшысының назарын аударып, бізге көп көмек көрсеттік. Бірге ілгерілей аламыз деп үміттенемін!

Сиднейден келген Эми жазған - 2017.09.28 18:29

Зауыттың техникалық қызметкерлері тек жоғары деңгейлі технологияға ғана емес, сонымен қатар ағылшын тілі деңгейіне де ие, бұл технологиялық коммуникацияға үлкен көмек.

Норвегиядан келген Жан Ашер - 2018.09.21 11:44