Қытайдың ROHS және REACH стандарттарына сәйкес келетін осьтік снуббер конденсаторы SMJ-TE зауыты және жеткізушілері

ROHS және REACH стандарттарына сәйкес келетін осьтік снуббер конденсаторы SMJ-TE

Қысқаша сипаттама:

Снуббер конденсаторы
CRE сериясындағы IGBT снуббер конденсаторлары ROHS және REACH стандарттарына сәйкес келеді.

1. Жалынға төзімді сипаттамалары

2. Пластикалық корпус немесе Майлар таспалы корпус

3. эпоксидті ұшымен толтырылған

4. UL94 стандартына сәйкес келеді

5. Тапсырыс бойынша жасалған

Бізге электрондық пошта жіберіңіз PDF форматында жүктеп алу

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

SMJ-TE сериясы

Металлдандырылған полипропилен пленкалы снуббер конденсаторы

Өздігінен қалпына келетін, құрғақ типті, снуббер конденсатор элементтері арнайы профильденген, толқынмен кесілген металлдандырылған PP пленкасын пайдаланып жасалған, бұл төмен өзіндік индуктивтілікті, жоғары үзілуге төзімділікті және жоғары сенімділікті қамтамасыз етеді. Артық қысымды ажырату қажет деп саналмайды. Конденсатордың үстіңгі жағы өздігінен сөнетін экологиялық таза эпоксидті шайырмен тығыздалған. Арнайы дизайн өте төмен өзіндік индуктивтілікті қамтамасыз етеді.

Техникалық сипаттамалар кестесі

SMJ-TE осьтік конденсаторы
Вольтаж		Un630V.DC;Urms400V;US 945V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,22	32	9.5	17.5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33,5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224 ж.	14.2
Вольтаж		Un 1000V.DC;Urms 500V;US 1500V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,15	32	10	17.5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320 ж.	13.8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3.5	34	480	1440 ж.	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 ж.	16.5
3.5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575 ж.	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 ж.	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Вольтаж		Un 1200V.DC;Urms 550V;US 1800V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 ж.	13.5
1.5	57	22.5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 ж.	14.5
2.2	57	27.5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540 ж.	14.5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485 ж.	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 ж.	18.2
Вольтаж		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;US 2550V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	9.5	17.5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4.5	34	700	1540 ж.	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 ж.	14.5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 ж.	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 ж.	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 ж.	18.2
Вольтаж		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 ж.	145	8
0,22	32	17.5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 ж.	14.5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540 ж.	17.8
Вольтаж		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
Сыйымдылық (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100 кГц (А)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 ж.	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 ж.	122.4	10.5
0,1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0,22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5