Көтерме жоғары вольтты Snubber конденсаторы

Көтерме жоғары вольтты снуббер конденсаторы Ұсынылған сурет

Қысқаша сипаттама:

CRE барлық түрдегі снуббер конденсаторларымен қамтамасыз етеді.

1. CRE компаниясы әзірлеген және шығарған инновациялық снуббер конденсаторлары

2. Пленкалы конденсаторларды жобалау және өндіру саласындағы көшбасшы.

3. Егер сізге бірегей бекіткіш конденсатордың сипаттамалары қажет болса, біздің жобалау орталығымызға барып, арнайы жасалған бекіткіш конденсаторды алыңыз.

Бізге электрондық пошта жіберіңіз PDF форматында жүктеп алу

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Техникалық деректер

Жұмыс температурасының диапазоны	Максималды жұмыс температурасы., Жоғарғы, макс: +90℃ Жоғарғы санат температурасы: +85℃ Төменгі санат температурасы: -40℃
сыйымдылық диапазоны	1μF～8μF
Номиналды кернеу	Тұрақты ток 1200 В～4000 В тұрақты ток
Капитол	±5%(Дж) ; ±10%(К)
Кернеуге төтеп беріңіз	1,5 Ун /10С
Диссипация коэффициенті	tgδ≤0.001 f=1КГц
Оқшаулау кедергісі	RS*C≥5000S (20℃ 100V, тұрақты ток 60S кезінде)
Өмір сүру ұзақтығы	100000сағ(Un; Θhospot≤85°C)
Анықтамалық стандарт	IEC 61071; IEC 60110

Функция

Опциялар үшін бір металдандырылған снуббер конденсаторлары және қос металдандырылған снуббер конденсаторлары бар.

Қолданба

1. Қуатты электроника қолданбаларында снуббер конденсаторлары кернеу мен токтың қоңырауын қысу арқылы электромагниттік кедергілерді азайтуға жауапты.

2. IGBT модульдеріне орнатылған, индуктивтілікті азайту үшін, Snubber конденсаторлары әмбебаптық мақсаттары үшін конфигурацияланатын терминалдарда жеткізіледі.

Техникалық сипаттамалар кестесі

Вольтаж	Un 700V.DC,Urms400V;Us1050V
	Өлшемі (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @40℃ @100 кГц (А)
0,47	42,5	24,5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42,5	24,5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 ж.	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 ж.	28
6.8	57.5	42,5	56	3.2	32	220	1496 ж.	32
8	57.5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33
Вольтаж	Un 1000V.DC,Urms500V;Us1500V
	Өлшемі (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭШР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42,5	24,5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 ж.	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 ж.	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 ж.	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 ж.	28
4.7	57.5	42,5	56	3	25	420	1974 ж.	30
5.6	57.5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Вольтаж	Un 1200V.DC,Urms550V;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭШР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42,5	24,5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 ж.	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 ж.	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 ж.	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 ж.	28
4	57.5	42,5	56	3.5	25	450	1800 ж.	30
4.7	57.5	42,5	56	3.2	23	420	1974 ж.	32
Вольтаж	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭШР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,33	42,5	24,5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800 ж.	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 ж.	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 ж.	28
3.5	57.5	42,5	56	3.5	25	500	1750 ж.	30
4	57.5	42,5	56	3.2	25	450	1800 ж.	32
Вольтаж	Un 2000V.DC,Urms700V;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭШР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,22	42,5	24,5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42,5	56	4	23	700	1540 ж.	32
Вольтаж	Un 3000V.DC,Urms750V;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭШР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000 ж.	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800 ж.	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42,5	56	8	22	1500	1020	28